IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки микросхем размером менее 1 нм.

2026-03-10T18:11:16+03:00

314

IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки микросхем размером менее 1 нм.

IBM и Lam Research объявили о сотрудничестве для разработки новых материалов и процессов, которые позволят масштабировать логические микросхемы до размеров менее 1 нм. Это продолжение их многолетнего партнерства, начатого более десяти лет назад. За это время компании достигли значительных успехов в области производства микросхем, включая создание первых 7-нм, нанолистовых и EUV-технологий. Новое соглашение направлено на дальнейшее развитие этих технологий, чтобы преодолеть технические барьеры и создать микросхемы следующего поколения. IBM и Lam сосредоточатся на разработке новых материалов с улучшенными свойствами, усовершенствованных методов травления и осаждения для сложных архитектур, а также на внедрении EUV-литографии с высокой числовой апертурой (High NA EUV). Эти технологии необходимы для создания межсоединений и сложных рисунков в микросхемах. Мукеш Харе, генеральный директор IBM Semiconductors, отметил важность Lam как партнера в достижении ключевых прорывов. Он подчеркнул, что компания рада продолжить сотрудничество для решения задач, связанных с внедрением высокоапертурной EUV-литографии и технологий менее 1 нм. Вахид Вахеди, главный технический директор Lam Research, заявил, что успех в новой эре масштабирования 3D-технологий зависит от интеграции материалов, процессов и литографии в единую систему высокой плотности. Он выразил гордость за продолжение успешного сотрудничества с IBM для разработки высокоапертурных EUV-резистов и процессов, что ускорит создание маломощных и высокопроизводительных транзисторов. Используя передовые исследовательские возможности IBM и технологические инструменты Lam, включая технологию сухого резиста Aether® и системы осаждения Striker® и ALTUS® Halo, команды разработают и протестируют полные технологические процессы для нанолистовых и наностексовых устройств, а также для подачи питания на обратной стороне. Эти технологии обеспечат надежную передачу высокоапертурных EUV-структур в устройства с высокой производительностью и будут способствовать дальнейшему масштабированию и созданию перспективных путей для производства будущих логических устройств. Пост взят с международного финтех-медиа ресурса [M O N D I A R A](https://mondiara.com) ➠ [веб-приложение](https://mondiara.com) ➠ [Скачать](https://apps.apple.com/ru/app/m-o-n-d-i-a-r-a/id6475953453) на iPhone ➠ [Скачать](https://play.google.com/store/apps/details?id=com.mondiara.app) на Android Источник: www.finance.yahoo.com

Войти

Войдите, чтобы оставлять комментарии