ЭЛЕМЕНТ [новости]

НОВОСТИ АКЦИЙ

Производство кристаллов нитрида галлия в России: новый этап развития микроэлектроники

2024-12-10T12:16:56+03:00 20

Производство кристаллов нитрида галлия в России: новый этап развития микроэлектроники. В России была разработана первая отечественная установка для производства кристаллов нитрида галлия на кремниевых подложках, что является важным шагом в развитии национальной микроэлектроники. Нитрид галлия (GaN) обладает высоким потенциалом, так как способен работать с большими токами и напряжениями, а также при высоких температурах, что делает его актуальным для применения в машиностроении, промышленной электронике и бытовой технике. Задействованные в разработке специалисты из АО «НИИТМ» (входит в ГК «Элемент»), НТЦ микроэлектроники РАН и ООО «Софт-Импакт» создали установку, способную производить структуры на подложках диаметром до 200 мм. Процесс, известный как эпитаксия, включает подачу исходных газов, их смешивание и реакцию над нагретой подложкой, что приводит к осаждению необходимого слоя. Оборудование может производить до 2000 пластин в год, что обеспечивает эффективный выпуск транзисторов. Внедрение данного оборудования позволит России уменьшить зависимость от зарубежных поставщиков и повысит локализацию критически важных технологий. Компоненты, изготовленные на основе нитрида галлия, могут найти применение в быстрозарядных станциях и высокоскоростных приборах, таких как лидары. С их помощью можно передавать сигнал на большие расстояния и увеличивать скорость передачи данных в сетях 5G. Запуск этой установки будет способствовать укреплению позиций России в сегменте производства полупроводников и откроет новые горизонты для развития отечественной микроэлектроники. Это, в свою очередь, может привести к инновациям и улучшению качества оборудования в смежных отраслях. Источник: www.gkelement.ru